ST2300TA:20V4A,栅极电压可低至1.25V（ON)封装STO-23-3L
N沟道，当Vgs=1.8V；Vds=20V；Id=2.8A;Rds=90mΩ
功率场效应管开关电路图：
场效应管导通时，漏沟道电阻有几千MΩ。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。
功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
请问方案一能否推荐下用什么样的场效应管，有具体型号吗，电阻我手上只有3.3K和2K的，可用吗；方案二好像很麻烦，那个VCC是要另外取5V电源吗，下面的那个5.1K电阻起什么作用？另外续流二极管不加可以吗？单个的场效应管本身有一个寄生二极管呀。
不可以这样子接。
如果将栅源间的电阻接上，电磁阀还是导通的，肯定管子坏了。
损坏的主要原因是焊接时的感应电压损坏。
所谓电铬铁外壳接地的方法也不可靠，后来经过分析，找到一个切实可行的方法后再也没有出现过焊接损坏高阻器件的事情。
方法很简单，将电铬铁外壳与人体连接即可，用一根导线接到电铬铁外壳上再绕到手柄上，只要焊接时手就与电铬铁外壳接通了，这样整个电路板和人体和电铬铁外壳都在同一电位上，没有压差，就不会损坏器件。
场管是电压控制 三极管实质上是电流控制 而且原来是mos管的驱动电流不大 带负载能力强
核对一下管脚，加一个负载电阻。
1、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。
2、也许3.3V电压太低，不能使场效应管开启。
解决方案：
（1）在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。
（2）如果不行，说明3.3V电压太低，不能使场效应管开启。那么最好改用三极管；如果坚持使用场效应管，需要中间增加一级三极管电路。用1只9014，集电极接栅极，栅极接电阻R35（改成5-10K），再接电源；9014发射极接地；9014基极接P1.0，P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻。此时低电平有效，不再是原来设计的高电平有效。
3、记得好像小功率管可以互换，不知道大功率管可以不。
这个电路原理上可行，R3多余了，R2换成100K比较好。
这个场效应管的型号就满足要求了，AO3401也可以。
LED灯组工作电压48v吧，n-mos需要耐压60v以上和可承受LED灯组工作电流。
R1,R2适当调校以达到正常控制效果，或用可调电阻取代。
1.7至8V的信号电压通过限流电阻接至三极管基极，三极管集电极触发由CD4013数字集成电路电路组成的单稳态电路，数字电路4013的输出端Q和Q非分别驱动2个场效应管，二个效应管均可驱动电磁铁线圈，使离合、刹车交替进行，选取合适的单稳态电阻和电容元件可以使离合 、刹车每秒1次以上。